半导体深紫外项目

山西中科潞安紫外光电科技有限公司
中国潞安半导体深紫外芯片项目是由山西潞安矿业（集团）有限公司、北京中科优唯科技有限公司共同出资建设，项目单位主体是山西中科潞安紫外光电科技有限公司，注册资本金4亿元，于2018年4月23日正式成立。该项目依托中科院第三代氮化物深紫外LED研究成果，一期建设年产3000万片深紫外LED芯片生产线以及产业研究院，总投资约11亿人民币；二期将建设2亿片深紫外LED芯片。

山西中科潞安半导体技术研究有限公司
山西中科潞安半导体技术研究院有限公司是由长治市人民政府、山西潞安矿业（集团）有限公司、山西中科潞安紫外光电科技有限公司合作建设，注册资本金2亿元。半导体研究院是创新技术研发中心和产业化技术研发平台，研究院项目总投资约5.3亿元，公司将通过技术研发和科技服务的协同创新，加快技术、产业、资金、人才等创新要素的快速集聚，做强做大第三代氮化物半导体产业，研究院公司将成为氮化物半导体产业的创新策源地、人才集聚地、技术辐射地和产业成功地。将建设2亿片深紫外LED芯片。

未来发展
本项目源于中科院十余年的深紫外LED研发积淀，具备从核心装备到外延芯片的完备技术，建成后会成为全球第一条规模化生产线，将在国内外产生重大的影响力；深紫外LED的氮化物半导体同时也是支撑下一代5G移动通信、电力电子核心器件的第三代半导体核心材料。本项目有利于潞安培育新的战略制高点，各方致力于在山西省长治市打造国家级深紫外LED科创平台和产业化集 聚中心，通过上游核心带动中游器件封装、下游白家电杀菌消毒应用产业的发展，形成相关配套、研发、测试等产业链环节的集聚，培育产值逾千亿元的紫外光电产业园区，有利于潞安培育一个前沿技术领域的上市平台，打造全球半导体深紫外龙头企业，开启万亿级的蓝海市场。